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CSD95495QVM中文资料采用 4x5 SON 小型封装的 50A 同步降压 NexFET 智能功率级数据手册TI规格书

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厂商型号

CSD95495QVM

参数属性

CSD95495QVM 封装/外壳为18-PowerTFDFN;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的全半桥驱动器;CSD95495QVM应用范围:同步降压转换器;产品描述:POWERSTAGE

功能描述

采用 4x5 SON 小型封装的 50A 同步降压 NexFET 智能功率级
POWERSTAGE

封装外壳

18-PowerTFDFN

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器

数据手册

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更新时间

2025-11-19 23:00:00

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CSD95495QVM规格书详情

描述 Description

CSD95495QVM NexFET™功率器件是经过高度优化的设计,用于高功率、高密度场合的同步降压转换器。这款产品集成了驱动器 IC 和功率 MOSFET 来完善功率级开关功能。该组合器件具有高电流、高效率以及高速开关功能,采用 4mm × 5mm 小外形尺寸封装。它还集成了准确电流感测和温度感测功能,以简化系统设计并提高准确度。此外,PCB 封装已经过优化,可帮助减少设计时间并简化总体系统设计。

特性 Features

• 具有 50A 的持续工作电流能力
• 电流为 25A 时,系统效率大于 93.5%
• 工作频率高(高达 1.25MHz)
• 二极管仿真功能
• 温度补偿双向电流检测
• 模拟温度输出
• 故障监控
• 3.3V 和 5V 脉宽调制 (PWM) 信号兼容
• 三态 PWM 输入
• 集成自举开关
• 用于击穿保护的经优化死区时间
• 高密度 4mm × 5mm VSON 封装
• 超低电感封装
• 系统已优化的 PCB 封装
• 符合 RoHS 环保标准 – 无铅引脚镀层
• 无卤素

简介

CSD95495QVM属于集成电路(IC)的全半桥驱动器。由TI制造生产的CSD95495QVM全半桥驱动器器件属于电桥驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 系列,包含两个或多个功率晶体管,以及在外部器件控制下将其用作开关所需的电路。这些晶体管通常在内部配置为成对串联连接(称为半桥),因而任意指定晶体管对之间的结点都可以连接至两个电源轨中的任一个。这类器件常用于将控制器件(如微控制器)提供的低电平信号转换为操作执行器(如步进电机或无刷电机)所需的较大功率信号。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :CSD95495QVM

  • 生产厂家

    :TI

  • Power loss (W)

    :2.3

  • Ploss current (A)

    :25

  • Configuration

    :PowerStage

  • ID - continuous drain current at Ta=25degC (A)

    :50

  • Package (mm)

    :SON4x5 PowerStage

  • Operating temperature range (C)

    :-55 to 150

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