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CSD87351ZQ5D数据手册TI中文资料规格书

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厂商型号

CSD87351ZQ5D

功能描述

采用 5mm x 6mm SON 封装的 32A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-8-17 23:01:00

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CSD87351ZQ5D规格书详情

描述 Description

此 CSD87351ZQ5D NexFET™电源块是面向同步降压 应用 的优化设计方案,能够以 5mm × 6mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化,可提供一套灵活的解决方案,在与来自外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时,均可提供高密度电源。

特性 Features

• 半桥电源块
• 电流 20A 时,系统效率达到 90%
• 工作电流高达 32A
• 高频工作(高达 1.5MHz)
• 高密度 SON 5mm × 6mm 封装
• 针对 5V 栅极驱动进行了优化
• 开关损耗较低
• 超低电感封装
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• 无铅引脚镀层
• 经提升的静电放电 (ESD) 保护性能

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD87351ZQ5D

  • 生产厂家

    :TI

  • VDS (V)

    :30

  • Power loss (W)

    :2.5

  • Ploss current (A)

    :20

  • ID - continuous drain current at Ta=25degC (A)

    :32

  • Operating temperature range (C)

    :-55 to 150

  • Features

    :Power supply

  • Duty cycle (%)

    :Low

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