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CSD87351ZQ5D中文资料采用 5mm x 6mm SON 封装的 32A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块数据手册TI规格书
CSD87351ZQ5D规格书详情
描述 Description
此 CSD87351ZQ5D NexFET™电源块是面向同步降压 应用 的优化设计方案,能够以 5mm × 6mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化,可提供一套灵活的解决方案,在与来自外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时,均可提供高密度电源。
特性 Features
• 半桥电源块
• 电流 20A 时,系统效率达到 90%
• 工作电流高达 32A
• 高频工作(高达 1.5MHz)
• 高密度 SON 5mm × 6mm 封装
• 针对 5V 栅极驱动进行了优化
• 开关损耗较低
• 超低电感封装
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• 无铅引脚镀层
• 经提升的静电放电 (ESD) 保护性能
技术参数
- 制造商编号
:CSD87351ZQ5D
- 生产厂家
:TI
- VDS (V)
:30
- Power loss (W)
:2.5
- Ploss current (A)
:20
- ID - continuous drain current at Ta=25degC (A)
:32
- Operating temperature range (C)
:-55 to 150
- Features
:Power supply
- Duty cycle (%)
:Low
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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