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CSD86356Q5D规格书详情
描述 Description
CSD86356Q5D NexFET™电源块是面向同步降压 应用 的优化设计方案,能够以 5mm × 6mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化,在与外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时,可提供一套灵活的解决方案来实现高密度电源。
特性 Features
• 半桥电源块
• 25A 电流下系统效率高达 93.0%
• 工作电流高达 40A
• 高频工作(高达 1.5MHz)
• 高密度 SON 5mm × 6mm 封装
• 针对 5V 栅极驱动进行了优化
• 开关损耗较低
• 超低电感封装
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• 无铅引脚镀层
技术参数
- 制造商编号
:CSD86356Q5D
- 生产厂家
:TI
- VDS (V)
:25
- Power loss (W)
:2.8
- Ploss current (A)
:25
- ID - continuous drain current at Ta=25degC (A)
:40
- Operating temperature range (C)
:-55 to 150
- Features
:Power supply
- Duty cycle (%)
:Low
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州仪器 |
25+ |
8-TDFN |
65248 |
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TI |
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TI/德州仪器 |
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TI/德州仪器 |
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8-TDFN |
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TI/德州仪器 |
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TI/德州仪器 |
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TI/德州仪器 |
25+ |
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TI/德州仪器 |
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TI(德州仪器) |
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