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CSD150N06S2

SGT MOSFET

屏蔽栅MOSFET(Shielded Gate Trench MOSFET, SGT)功率器件栅电极,下半部分是屏蔽栅电极。\r\n\r\nCoolSemi的SGT-MOSFET功率器件采用超深沟槽设计,屏蔽栅于源极短接,屏蔽掉了大部分Qgd电荷,大大降低器件的米勒电容,有效提升器件的开关速度,开关损耗更低,沟槽深度加深降低导通电阻,导通损耗更低。

CoolSemi

功成半导体

CSD15380F3

PICOSTAR-3

CSD16301Q2

WSON-6

CSD16323Q3

SON

CSD16327Q3

VSON-8

技术参数

  • RDS(on)(mΩ)@ Typ.:

    13.5

  • RDS(on)(mΩ)@ Max.:

    15

  • V(GS)th(V):

    2.5

  • Package:

    TO-252

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
SXSEMI
24+
DFN1006-3
900000
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20+
LGA0.6x0.7
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PICOSTAR-3
50000
全新原装正品现货,支持订货
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PICOSTAR-3
50000
全新原装正品现货,支持订货
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80000
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更多CSD150N06S2供应商 更新时间2025-12-16 14:09:00