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CSD130N08S2

SGT MOSFET

屏蔽栅MOSFET(Shielded Gate Trench MOSFET, SGT)功率器件栅电极,下半部分是屏蔽栅电极。\r\n\r\nCoolSemi的SGT-MOSFET功率器件采用超深沟槽设计,屏蔽栅于源极短接,屏蔽掉了大部分Qgd电荷,大大降低器件的米勒电容,有效提升器件的开关速度,开关损耗更低,沟槽深度加深降低导通电阻,导通损耗更低。

CoolSemi

功成半导体

CSD13201W10

DSBGA4

TEXAS INSTRUMENTS

CSD13202Q2

WSON6

CSD13380F3

PICOSTAR3

CSD13381F4

PicoStar-3

TI(德州仪器)

上传:深圳市宝芯创电子有限公司

TI(德州仪器)

技术参数

  • RDS(on)(mΩ)@ Typ.:

    11

  • RDS(on)(mΩ)@ Max.:

    13

  • V(GS)th(V):

    1.8

  • Package:

    TO-252

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多CSD130N08S2供应商 更新时间2025-12-17 16:17:00