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CSD13385F5.Z	文件：1.23074 Mbytes Page：16 Pages	丝印：4V；Package：PICOSTAR；CSD13385F5 12-V N-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Low on resistance • Low Qg and Qgd • Ultra-small footprint – 1.53 mm × 0.77 mm • Low profile – 0.36-mm height • Integrated ESD protection diode – Rated > 4-kV HBM – Rated > 2-kV CDM • Lead and halogen free • RoHS compliant 2 Applications • Optimized for industrial load 文件：1.23074 Mbytes 页数：16 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD13385F5T	文件：1.23074 Mbytes Page：16 Pages	丝印：4V；Package：PICOSTAR；CSD13385F5 12-V N-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Low on resistance • Low Qg and Qgd • Ultra-small footprint – 1.53 mm × 0.77 mm • Low profile – 0.36-mm height • Integrated ESD protection diode – Rated > 4-kV HBM – Rated > 2-kV CDM • Lead and halogen free • RoHS compliant 2 Applications • Optimized for industrial load 文件：1.23074 Mbytes 页数：16 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD13385F5T.B	文件：1.23074 Mbytes Page：16 Pages	CSD13385F5 12-V N-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Low on resistance • Low Qg and Qgd • Ultra-small footprint – 1.53 mm × 0.77 mm • Low profile – 0.36-mm height • Integrated ESD protection diode – Rated > 4-kV HBM – Rated > 2-kV CDM • Lead and halogen free • RoHS compliant 2 Applications • Optimized for industrial load 文件：1.23074 Mbytes 页数：16 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD13385F5T.Z	文件：1.23074 Mbytes Page：16 Pages	丝印：4V；Package：PICOSTAR；CSD13385F5 12-V N-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Low on resistance • Low Qg and Qgd • Ultra-small footprint – 1.53 mm × 0.77 mm • Low profile – 0.36-mm height • Integrated ESD protection diode – Rated > 4-kV HBM – Rated > 2-kV CDM • Lead and halogen free • RoHS compliant 2 Applications • Optimized for industrial load 文件：1.23074 Mbytes 页数：16 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD1426F	文件：110.78 Kbytes Page：3 Pages	NPN HIGH VOLTAGE SILICON POWER TRANSISTORS TO-3P Fully Isolated Plastic Package Transistor CDIL 文件：110.78 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
CSD1426F	文件：89.12 Kbytes Page：2 Pages	TO-3P Fully Isolated Plastic Package Transistor CDIL TO-3P Fully Isolated Plastic Package Transistor CDIL 文件：89.12 Kbytes 页数：2 Pages	CDIL	CDIL
CSD1489	文件：59.11 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR Low Frequency Power Amplifier. Complementary CSB1058 文件：59.11 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
CSD15380F3	文件：1.2433 Mbytes Page：15 Pages	CSD15380F3 20-V N-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Ultra-low CiSS and COSS • Ultra-low Qg and Qgd • Ultra-small footprint – 0.73 mm × 0.64 mm • Ultra-low profile – 0.36-mm max height • Integrated ESD protection diode – Rated > 4-kV HBM – Rated > 2-kV CDM • Lead and halogen free • RoHS compliant 2 Applications • Optimize 文件：1.2433 Mbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD15380F3.B	文件：1.2433 Mbytes Page：15 Pages	CSD15380F3 20-V N-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Ultra-low CiSS and COSS • Ultra-low Qg and Qgd • Ultra-small footprint – 0.73 mm × 0.64 mm • Ultra-low profile – 0.36-mm max height • Integrated ESD protection diode – Rated > 4-kV HBM – Rated > 2-kV CDM • Lead and halogen free • RoHS compliant 2 Applications • Optimize 文件：1.2433 Mbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD15380F3T	文件：1.2433 Mbytes Page：15 Pages	CSD15380F3 20-V N-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Ultra-low CiSS and COSS • Ultra-low Qg and Qgd • Ultra-small footprint – 0.73 mm × 0.64 mm • Ultra-low profile – 0.36-mm max height • Integrated ESD protection diode – Rated > 4-kV HBM – Rated > 2-kV CDM • Lead and halogen free • RoHS compliant 2 Applications • Optimize 文件：1.2433 Mbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI

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技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
5.5
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
115
QG typ (nC)：
6.5
QGD typ (nC)：
1.2
Package (mm)：
SON3x3
VGS (V)：
10
VGSTH typ (V)：
0.85
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
21
ID - package limited (A)：
60
Logic level：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市瑞卓芯科技有限公司	CSD16340Q3	TI/德州仪器	22+	SON8	93000	原装正品	询价
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