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IRFD9014	文件：831.83 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •ForautomaticInsertion •Endstackable •P-channel •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgeneration	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD9014PBF	文件：839.16 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD9014PBF	文件：1.79963 Mbytes Page：8 Pages	HEXFET짰POWERMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFD9014PBF	文件：858.54 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFL9014	文件：222.81 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-60V,Rds(on)=0.50ohm,Id=-1.8A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountusingvaporphase,infrared,orwavesolderin	IRF International Rectifier	IRF
IRFL9014	文件：1.03697 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFL9014	文件：790.32 Kbytes Page：8 Pages	RepetitiveAvalancheRated Description TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Itsuniquepackagedesignallowsforeasyautomaticpick-andplaceaswithotherSOTorSOICpackagesbuthastheaddedadvantageofimprovedthermalperformanceduetoanenla	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFL9014	文件：177.41 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFL9014	文件：174.72 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •P-channel •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgenerationpower	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFL9014	文件：399.22 Kbytes Page：7 Pages	-60VP-ChannelMOSFET Description TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mounting usingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques. Itsuniquepackagedesignallowsforeasyautomaticpickand- placeaswithotherSOTorSOPpackagesbuthasthe addedadvantageofimprovedthermalperformancedueto	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI

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