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IRFR9014	文件：2.01341 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR9014	文件：4.53358 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9014	文件：321.35 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR9014	文件：1.16375 Mbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Surfacemount(IRFR9014,SiHFR9014) •Straightlead(IRFU9014,SiHFU9014) •Availableintapeandreel •P-channel •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR9014	文件：2.62994 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFETl Features *Vos=60V=-13A Rosion100mQ@Ves=10V Rosion110mQ@Vos=-4.5V(TYP)	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
IRFR9014	文件：299.06 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-5.1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR9014PBF	文件：1.84209 Mbytes Page：10 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description ThirdGenerationHESFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •SurfaceMount(IRFR9014) •StraightL	IRF International Rectifier	IRF
IRFR9014PBF	文件：2.01341 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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