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FQP4N60	文件：530.09 Kbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwith	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQPF4N60	文件：550.26 Kbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQPF4N60	文件：36.43 Kbytes Page：1 Pages	600VN-ChannelMOSFET DESCRIPTION TheseN-Channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhighenergypulse	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
FQPF4N60	文件：831.98 Kbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQPF4N60	文件：726.33 Kbytes Page：7 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingCoriseSemiconductorÿsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperform	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
FQPF4N60C	文件：831.98 Kbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FTK4N60D	文件：176.53 Kbytes Page：7 Pages	4Amps,600VoltN-CHANNELPOWERMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
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技术参数

Package：
TO220F-3(薄)
Polarity：
N
Technology：
HVMOS
ESDDiode：
N
FRDDiode：
N
VDS(V)：
600
ID (A)：
4
Vth(V)Typ：
3.5
RDS(ON) (mΩ)10Vtyp：
1800
Qg* (nC)：
17.5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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