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FDP4N60NZ	文件：383.72 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelMOSFET600V,3.8A,2.5廓 Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP4N60NZ	文件：333.41 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=3.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.5Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDPF4N60NZ	文件：324.1 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=3.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.5Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDPF4N60NZ	文件：383.72 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelMOSFET600V,3.8A,2.5廓 Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FIR4N60AALG	文件：2.98034 Mbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FIR4N60ABPG	文件：2.98034 Mbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FIR4N60AFG	文件：3.21726 Mbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FMF4N60	文件：783.1 Kbytes Page：7 Pages	4A600VNCHANNELISOLATEDPOWERMOSFET	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
FQB4N60	文件：539.35 Kbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQI4N60	文件：539.35 Kbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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技术参数

Package：
TO220F-3(薄)
Polarity：
N
Technology：
HVMOS
ESDDiode：
N
FRDDiode：
N
VDS(V)：
600
ID (A)：
4
Vth(V)Typ：
3.5
RDS(ON) (mΩ)10Vtyp：
1800
Qg* (nC)：
17.5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市瑞新盛科技有限公司	CS4N60F-B	CONVERT/锴威特	24+	TO220F-3	5000	原装正品保障优势供应	询价
深圳市顺鑫晟科技有限公司	CS4N60FB9	华晶	25+	TO-220F	188600	全新原厂原装正品现货欢迎咨询	询价
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更多CS4N60F-B供应商更新时间2025-7-29 16:32:00

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