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CS4N60F-B

Planar MOSFET

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锴威特

DG4N60

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

General Description DG4N60 is an N-channel enhancement mode MOSFET, which is produced using Dongguang Micro-electronics’s proprietary. The self-aligned planar process and improved terminal technology reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The

文件:1.36241 Mbytes 页数:11 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

DMD4N60-TR

600V N-Channel Power MOSFET

文件:2.51249 Mbytes 页数:10 Pages

DYELEC

迪一电子

DMD4N60-TU

600V N-Channel Power MOSFET

文件:2.51249 Mbytes 页数:10 Pages

DYELEC

迪一电子

技术参数

  • Package:

    TO220F-3(薄)

  • Polarity:

    N

  • Technology:

    HVMOS

  • ESDDiode:

    N

  • FRDDiode:

    N

  • VDS(V):

    600

  • ID (A):

    4

  • Vth(V)Typ:

    3.5

  • RDS(ON) (mΩ)10Vtyp:

    1800

  • Qg* (nC):

    17.5

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更多CS4N60F-B供应商 更新时间2025-12-11 9:36:00