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CEU20N06

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ 60V, 20A, RDS(ON) = 55mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 75mΩ @VGS = 4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-251 & TO-252 package.

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CET

华瑞

CEU20N06

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:84.8 Kbytes 页数:4 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

CEU20N06

N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET

文件:899.41 Kbytes 页数:6 Pages

VBSEMI

微碧半导体

CEU20N06

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

CET

华瑞

详细参数

  • 型号:

    CEU20N06

  • 功能描述:

    N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
CETSEMI
25+
TO-252
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CETSEMI原装特价CEU20N06即刻询购立享优惠#长期有货
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CET/華瑞
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SOT-252
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更多CEU20N06供应商 更新时间2026-1-23 14:14:00