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CEU85A3	文件：999.13 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 25V,80A,RDS(ON)=6mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=9mW@VGS=4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
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CEU85A3	文件：278.97 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEU85A3	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET;	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
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CEB85A3	文件：457.23 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■25V,90A,RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=9mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-263&TO-220package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
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技术参数

BVDSS(V)：
25
Rds(on)mΩ@10V：
6
Rds(on)mΩ@4.5V：
9
ID(A)：
80
Qg(nC)@4.5V(typ)：
17
RθJC(℃/W)：
1.8
Pd(W)：
70
Configuration：
Single
Polarity：
N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市坤融电子科技有限公司	CEU85A3	CET/華瑞	24+	TO-252	50000	只做原厂渠道可追溯货源	询价
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