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CEP20P06	文件：103.82 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■-60V,-15A,RDS(ON)=105mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=150mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP20P06	文件：743.03 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V,-14A,RDS(ON)=125mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RDS(ON)=175mW@VGS=-4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEP20P10	文件：380.87 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■-100V,-20A,RDS(ON)=130mΩ@VGS=-10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP20P10	文件：642.53 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -100V,-20A,RDS(ON)=130mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEP21A2	文件：101.26 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■20V,25A,RDS(ON)=40mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=70mΩ@VGS=2.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP21A2	文件：472.57 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 20V,25A,RDS(ON)=40mW@VGS=4.5V. RDS(ON)=70mW@VGS=2.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEP21A3	文件：40.33 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■30V,20A,RDS(ON)=45mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=70mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandlingcapability. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP-2202A	文件：363.14 Kbytes Page：3 Pages	PIEZO BUZZER INDICATOR FEATURES •through-holepins •12Vdcrating •3.0kHzratedfrequency	CUID CUI Devices	CUID
CEP-2202A	文件：387.57 Kbytes Page：3 Pages	PIEZO BUZZER INDICATOR FEATURES •through-holepins •12Vdcrating •3.0kHzratedfrequency	CUI CUI Inc.	CUI
CEP-2202A_V01	文件：387.57 Kbytes Page：3 Pages	PIEZO BUZZER INDICATOR FEATURES •through-holepins •12Vdcrating •3.0kHzratedfrequency	CUI CUI Inc.	CUI

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技术参数

BVDSS(V)：
650
Rds(on)mΩ@10V：
10500
ID(A)：
1.3
Qg(nC)@10V(typ)：
5.7
RθJC(℃/W)：
3
Pd(W)：
41
Configuration：
Single
Polarity：
N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	CEP01N65	CET/華瑞	2022+	TO-220	50000	原厂代理终端免费提供样品	询价
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