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CEP12N65LN	文件：519.87 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEP12P10	文件：102.67 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■-100V,-11A,RDS(ON)=315mΩ@VGS=-10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP12P10	文件：893.13 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -100V,-11A,RDS(ON)=315mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEP1310S	文件：930.29 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V,85A,RDS(ON)=8mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEP1310SL	文件：499.33 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V,88A,RDS(ON)=7.5mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEP1311	文件：152.38 Kbytes Page：2 Pages	ADSL Transformer SMD Type: CEP >Series> ◆ProductDescription •17.7×13.5mmMax.(L×W),12.3mmMax.Height. ◆Feature •xDSLlinetransformer. •IdeallyusedinADSLcustomerpremisesequipment,SHDSL&HDSL,splitterandVDSL. •ApprovedbyTI,SiliconLabs,BroadcomandConexant. •RoHSCompliance.	SUMIDASumida America Components Inc. 胜美达电子	SUMIDA
CEP13N07	文件：100.89 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■70V,13A,RDS(ON)=125mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=150mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP13N10	文件：98.58 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■100V,12.8A,RDS(ON)=180mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP13N10	文件：586.14 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V,12.8A,RDS(ON)=180mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEP13N10L	文件：663.1 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■100V,12.8A,RDS(ON)=175mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=185mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET

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技术参数

BVDSS(V)：
650
Rds(on)mΩ@10V：
10500
ID(A)：
1.3
Qg(nC)@10V(typ)：
5.7
RθJC(℃/W)：
3
Pd(W)：
41
Configuration：
Single
Polarity：
N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	CEP01N65	CET/華瑞	2022+	TO-220	50000	原厂代理终端免费提供样品	询价
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