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CEP12N65A | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：525.04 Kbytes 页数：5 Pages | CET-MOS 华瑞 | CET-MOS | |
CEP12N65A | N Channel MOSFET | CET 华瑞 | CET | |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：519.87 Kbytes 页数：5 Pages | CET-MOS 华瑞 | CET-MOS | ||
N-Channel Power MOSFET 文件：1.69508 Mbytes 页数：4 Pages | JIANGSU 长电科技 | JIANGSU | ||
N -Channel Power MOSFET 文件：724.77 Kbytes 页数：3 Pages | ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品 | ZPSEMI |
技术参数
- BVDSS(V)：
650
- Rds(on)mΩ@10V：
750
- ID(A)：
12
- Qg(nC)@10V(typ)：
33
- RθJC(℃/W)：
0.6
- Pd(W)：
250
- Configuration：
Single
- Polarity：
N
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TO-220 |
1215+ |
TO-220 |
150000 |
全新原装,绝对正品,公司大量现货供应. |
询价 | ||
CET |
23+ |
TO220/3 |
5500 |
现货,全新原装 |
询价 | ||
CET |
24+ |
TO2203 |
66 |
询价 | |||
SR |
23+ |
TO-220 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
CET |
20+ |
TO-220 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
CET |
2022+ |
20 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
CET(华瑞) |
2447 |
TO-220(TO-220-3) |
105000 |
50个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期 |
询价 | ||
CET/華瑞 |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
VBsemi |
23+ |
TO220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
C |
TO-220 |
22+ |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 |
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更新时间2025-12-17 11:03:00
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- SI7913DN
- SI7942DP
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- SI7900EDN
- SI7922DN
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- SI7945DP
- SI7921DN
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- SI7938DP
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- SI7901EDN
- SI7940DP
- SI7956DP
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- SI7902EDN
- SI7998DP
- SI7960DP
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