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CEM3252L	文件：569.54 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V,8A,RDS(ON)=29mW@VGS=10V. RDS(ON)=36mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Leadfreeproductisacquired. RDS(ON)=55mW@VGS=2.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM3254	文件：414.11 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■30V,7.8A,RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=40mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■SurfacemountPackage.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEM3254	文件：638.02 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V,7.8A,RDS(ON)=28mW@VGS=10V. RDS(ON)=40mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM3254L	文件：441.66 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V,8.0A,RDS(ON)=25mW@VGS=10V. RDS(ON)=28mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant. RDS(ON)=35mW@VGS=2.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM3258	文件：305.92 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■30V,7A,RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=40mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■SurfacemountPackage.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEM3258	文件：1.12785 Mbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V,7A,RDS(ON)=28mW@VGS=10V. RDS(ON)=40mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM3258A	文件：623.96 Kbytes Page：5 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V,7A,RDS(ON)=24mW@VGS=10V. RDS(ON)=35mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM3258L	文件：404.41 Kbytes Page：5 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V,6.9A,RDS(ON)=28mW@VGS=10V. RDS(ON)=34mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Lead-freeplating;RoHScompliant. RDS(ON)=45mW@VGS=2.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS

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