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CEC3P07A	文件：413.17 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -37A, RDS(ON) = 10mW @VGS = -10V. RDS(ON) = 15mW @VGS = -4.5V. Super High dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：413.17 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEC4112A	文件：666.56 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 40V, 40A, RDS(ON) = 10.2 mW @VGS = 10V. RDS(ON) = 16 mW @VGS = 4.5V. Super High dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：666.56 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEC5X	文件：2.21035 Mbytes Page：18 Pages	High Capacitance Stacked Capacitors FEATURES • Multilayer chips ceramic capacitors • NPO dielectric • Capacitance range: 10nF to 6.8 μF • Voltage range: 63 VDC to 500 VDC 文件：2.21035 Mbytes 页数：18 Pages	EXXELIA	EXXELIA
CEC6072	文件：650.93 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 54A, RDS(ON) = 9mW @VGS = 10V. RDS(ON) = 13mW @VGS = 4.5V. Super High dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：650.93 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEC6188	文件：393.43 Kbytes Page：5 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 20A, RDS(ON) = 25mW @VGS = 10V. RDS(ON) = 32mW @VGS = 4.5V. Super High dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：393.43 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEC6P61	文件：813.22 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V, -11A, RDS(ON) = 125mW @VGS = -10V. RDS(ON) = 170mW @VGS = -4.5V. Super High dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：813.22 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEC6P91	文件：453.49 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V, -12.5A, RDS(ON) = 100mW @VGS = -10V. RDS(ON) = 120mW @VGS = -4.5V. Super High dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：453.49 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEC8218	文件：758.46 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 20V, 7A, RDS(ON) = 20mW @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 28mW @VGS = 2.5V. Super High dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. RDS(ON) = 48mW @VGS = 1.8V. 文件：758.46 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEC8218	文件：438.84 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ 20V, 6.5A, RDS(ON) = 23mΩ @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 34mΩ @VGS = 2.5V. ■ Super High dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. 文件：438.84 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEC8958A	文件：951.6 Kbytes Page：7 Pages	Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) FEATURES 30V, 21A, RDS(ON) = 26mW @VGS = 10V. RDS(ON) = 45mW @VGS = 4.5V. Super High dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. -30V, -16A, RDS(ON) = 46mW @VGS = -10V. RDS(ON) = 77mW @VGS = -4.5V. 文件：951.6 Kbytes 页数：7 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS

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晶体管资料

型号：
BC869
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_低频或音频放大（LF）_TR
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
60MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BCX51,BCX52,BCX69,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
25
htest：
60000000
atest：
1
wtest：
0

技术参数

Package name：
SOT89
Size (mm)：
4.5 x 2.5 x 1.5
Polarity：
PNP
Ptot (mW)：
500
VCEO [max] (V)：
-20
IC [max] (mA)：
-2000
hFE [min]：
50
hFE [max]：
375
Tj [max] (°C)：
150
fT [min] (MHz)：
40
Automotive qualified：
Y

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更多CEC供应商更新时间2026-4-17 23:00:00

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