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CEC4112A	文件：666.56 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 40V,40A,RDS(ON)=10.2mW@VGS=10V. RDS(ON)=16mW@VGS=4.5V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED4112A	文件：411.69 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 40V,47A,RDS(ON)=10.2mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=13mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEU4112A	文件：411.69 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 40V,47A,RDS(ON)=10.2mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=13mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEZC4112A	文件：744.59 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 40V,40A,RDS(ON)=10.2mW@VGS=10V. RDS(ON)=16mW@VGS=4.5V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市盈慧通电子有限公司	CEC4112A	CET/華瑞	2511	DFN3*3	360000	电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价	询价
深圳市联世界科技有限公司	CEC55-107006	N/A	24+/25+		3000	原装正品现货库存价优	询价
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