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CEC2609	文件：680.64 Kbytes Page：7 Pages	Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) 20V,4.8A,RDS(ON)=38mW@VGS=4.5V. FEATURES RDS(ON)=55mW@VGS=2.5V. -20V,-3.0A,RDS(ON)=100mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=145mW@VGS=-2.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant. S2	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEC3062	文件：462.84 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V,48A,RDS(ON)=6.7mW@VGS=10V. RDS(ON)=8.7mW@VGS=4.5V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEC3115	文件：440.47 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V,-36A,RDS(ON)=12mW@VGS=-10V. RDS(ON)=16mW@VGS=-4.5V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEC3133	文件：748.28 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V,-30A,RDS(ON)=17mW@VGS=-10V. RDS(ON)=26mW@VGS=-4.5V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEC3257	文件：517.62 Kbytes Page：5 Pages	Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V,-17A,RDS(ON)=25mW@VGS=-10V. RDS(ON)=32mW@VGS=-4.5V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEC3633	文件：586.01 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V,46A,RDS(ON)=7.2mW@VGS=10V. RDS(ON)=10mW@VGS=4.5V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEC3833	文件：680.2 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V,17A,RDS(ON)=5.0mW@VGS=10V. RDS(ON)=7.2mW@VGS=4.5V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEC3P07A	文件：413.17 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V,-37A,RDS(ON)=10mW@VGS=-10V. RDS(ON)=15mW@VGS=-4.5V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEC4112A	文件：666.56 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 40V,40A,RDS(ON)=10.2mW@VGS=10V. RDS(ON)=16mW@VGS=4.5V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEC5X	文件：2.21035 Mbytes Page：18 Pages	High Capacitance Stacked Capacitors FEATURES •Multilayerchipsceramiccapacitors •NPOdielectric •Capacitancerange:10nFto6.8μF •Voltagerange:63VDCto500VDC	EXXELIA Exxelia Group	EXXELIA

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详细参数

型号：
CEC
制造商：
Mallory Sonalert Products Inc
功能描述：
Cap Ceramic 1pF 50V C0G 0.25pF(4 X 3mm) Radial 2.5mm 125°C

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更多CEC供应商更新时间2025-7-25 17:40:00

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