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CEC3833

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 30V, 17A, RDS(ON) = 5.0mW @VGS = 10V. RDS(ON) = 7.2mW @VGS = 4.5V. Super High dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant.

文件:680.2 Kbytes 页数:4 Pages

CET-MOS

华瑞

CEC3833

N Channel MOSFET

CET

华瑞

HSMP-3833

Surface Mount PIN Diodes

文件:99.19 Kbytes 页数:12 Pages

HP

安捷伦

HSMP-3833

Surface Mount RF PIN Diodes

文件:272.27 Kbytes 页数:7 Pages

AVAGO

安华高

HSMP-3833

Surface Mount RF PIN Diodes

文件:272.27 Kbytes 页数:7 Pages

AVAGO

安华高

技术参数

  • BVDSS(V):

    30

  • Rds(on)mΩ@10V:

    5

  • Rds(on)mΩ@4.5V:

    7.2

  • ID(A):

    17

  • Qg(nC)@4.5V(typ):

    37

  • RθJC(℃/W):

    50

  • Pd(W):

    2.5

  • Configuration:

    Single

  • Polarity:

    N

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
CET/華瑞
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DFN3*3
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CET/華瑞
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DFN3*3
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CET/華瑞
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DFN3*3
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更多CEC3833供应商 更新时间2026-3-12 15:40:00