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CDCVF2310PWR	文件：506.24 Kbytes Page：25 Pages	CDCVF23102.5-Vto3.3-VHigh-PerformanceClockBuffer 1Features 1•High-Performance1:10ClockDriver •Operatesupto200MHzatVDD3.3V •Pin-to-PinSkew	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
CDCVF2310PWR.A	文件：506.24 Kbytes Page：25 Pages	CDCVF23102.5-Vto3.3-VHigh-PerformanceClockBuffer 1Features 1•High-Performance1:10ClockDriver •Operatesupto200MHzatVDD3.3V •Pin-to-PinSkew	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
CEH2310	文件：107.09 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,6.2A,RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=38mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=55mΩ@VGS=2.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■TSOP-6package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEH2310L	文件：501.79 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,6.1A,RDS(ON)=34mW@VGS=10V. RDS(ON)=40mW@VGS=4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. TSOP-6package. RoHScompliant. RDS(ON)=45mW@VGS=2.5V. RDS(ON)=60mW@VGS=1.8V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEN2310L	文件：911.11 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,4.8A,RDS(ON)=34mW@VGS=10V. RDS(ON)=40mW@VGS=4.5V. RDS(ON)=45mW@VGS=2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. RoHScompliant. RDS(ON)=60mW@VGS=1.8V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CES2310	文件：549.63 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,4.8A,RDS(ON)=34mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=40mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=60mΩ@VGS=2.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-23package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CES2310L	文件：482.79 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,4.8A,RDS(ON)=34mW@VGS=10V. RDS(ON)=40mW@VGS=4.5V. RDS(ON)=45mW@VGS=2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. RoHScompliant. RDS(ON)=60mW@VGS=1.8V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CHM2310PT	文件：352.92 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE30VoltsCURRENT4.8Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SC-59) HighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. Highsaturationcurrentcapability. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. *Otherswitchingapplicatio	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CJ2310	文件：1.00264 Mbytes Page：3 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
CJ2310	文件：1.19603 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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