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CEH2310

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ 30V, 6.2A , RDS(ON) = 33mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 38mΩ @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 55mΩ @VGS = 2.5V. ■ High dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ Rugged and reliable. ■ Lead free product is acquired. ■ TSOP-6 package.

文件:107.09 Kbytes 页数:2 Pages

CET

华瑞

CEH2310

N Channel MOSFET

CET

华瑞

CEH2310L

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 30V, 6.1A , RDS(ON) = 34mW @VGS = 10V. RDS(ON) = 40mW @VGS = 4.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. TSOP-6 package. RoHS compliant. RDS(ON) = 45mW @VGS = 2.5V. RDS(ON) = 60mW @VGS = 1.8V.

文件:501.79 Kbytes 页数:5 Pages

CET-MOS

华瑞

CEH2310L

N Channel MOSFET

CET

华瑞

技术参数

  • BVDSS(V):

    30

  • Rds(on)mΩ@10V:

    33

  • Rds(on)mΩ@4.5V:

    38

  • Rds(on)mΩ@2.5V:

    55

  • ID(A):

    6.2

  • Qg(nC)@10V(typ):

    10

  • RθJC(℃/W):

    0

  • Pd(W):

    2

  • Configuration:

    Single

  • Polarity:

    N

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
CET/華瑞
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CET/華瑞全新特价CEH2310即刻询购立享优惠#长期有货
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更多CEH2310供应商 更新时间2026-4-17 18:03:00