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BD135	文件：252.12 Kbytes Page：4 Pages	NPNEPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTORS NPNEPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTORS DesignedforuseasAudioAmplifierandDriversUtilizing ComplementaryBD136,BD138,BD140	CDIL CDIL	CDIL
BD135	文件：795.81 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Features ComplementtoBD136. Applications Mediumpowerlinearandswitchingapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BD135	文件：186.38 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD135	文件：369.65 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighCurrent	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BD135	文件：158.04 Kbytes Page：9 Pages	Complementarylowvoltagetransistor Description TheseepitaxialplanartransistorsaremountedintheSOT-32plasticpackage.Theyaredesignedforaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasi-complementarycircuits.TheNPNtypesaretheBD135andBD139,andthecomplementaryPNPtypesaretheBD136andBD140. Fe	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BD135	文件：111.81 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD135	文件：360.44 Kbytes Page：2 Pages	HighCurrent TRANSISTOR(NPN) FEATURES •HighCurrent(1.5A) •LowVoltage(80V)	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BD135	文件：1.10211 Mbytes Page：4 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighCurrent ●ComplementToBD136,BD138AndBD140	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
BD135	文件：73.91 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPLANAREPITAXIALPOWERTRANSISTORS SILICONPLANAREPITAXIALPOWERTRANSISTORS. TheBD136-BD138-BD140arePNPTransistors Theyarerecommendedfordriverstagesinhi-fiamplifiersandtelevisioncircuits. TheyaremountedinJedecTO-126plasticpackage. NPNcomplementsareBD135-BD137-BD139. CompliancetoRoHS.	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD135	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
BD135G	文件：86.22 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMedium-PowerSiliconNPNTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD135G	文件：42.47 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMediumPowerSiliconNPNTransistor PlasticMediumPowerSiliconNPNTransistor Thisseriesofplastic,medium−powersiliconNPNtransistorsaredesignedforuseasaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. Features •Pb−FreePackagesareAvailable •DCCurrentGain−hFE=40(Min)@	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD135T	文件：216.89 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconEpitaxialPowerTransistor NPNSILICONEPITAXIALPOWERTRANSISTOR ThesedevicesaredesignedasAudioAmplifier andDriversUtilizing.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BD135TG	文件：86.22 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMedium-PowerSiliconNPNTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD135-TU	文件：1.68264 Mbytes Page：4 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES HighCurrent ComplementToBD136,BD138AndBD140	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BF135	文件：103.88 Kbytes Page：1 Pages	2.00mmPitchPinHeader,DualRow,SurfaceMount,Horizontal	GCT GCT Semiconductor	GCT
BFG135	文件：340.68 Kbytes Page：16 Pages	NPN7GHzwidebandtransistor	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG135	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BFG135	文件：107.15 Kbytes Page：12 Pages	NPN7GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorinaplasticSOT223envelope,intendedforwidebandamplifierapplications.Thesmallemitterstructures,withintegratedemitter-ballastingresistors,ensurehighoutputvoltagecapabilitiesatalowdistortionlevel. Thedistributionoft	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG135A	文件：49.64 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlow-distortionbroadbandoutputamplifierstagesinantennaandtelecommunications) NPNSiliconRFTransistor •Forlow-distortionbroadbandamplifier stagesinantennaandtelecommunication systemsupto2GHzatcollectorcurrentsfrom 70mAto130mA •PoweramplifiersforDECTandPCNsystems •Integratedemitterballastresistor •fT=6GHz	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS

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