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BD135T	文件：216.89 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Epitaxial Power Transistor NPNSILICONEPITAXIALPOWERTRANSISTOR ThesedevicesaredesignedasAudioAmplifier andDriversUtilizing.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BD135TG	文件：86.22 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium-Power Silicon NPN Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD135TG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 45V 1.5A TO126	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BF135	文件：103.88 Kbytes Page：1 Pages	2.00mmPitchPinHeader,DualRow,SurfaceMount,Horizontal	GCT Global Connector Technology	GCT
BFG135	文件：107.15 Kbytes Page：12 Pages	NPN7GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorinaplasticSOT223envelope,intendedforwidebandamplifierapplications.Thesmallemitterstructures,withintegratedemitter-ballastingresistors,ensurehighoutputvoltagecapabilitiesatalowdistortionlevel. Thedistributionoft	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG135	文件：340.68 Kbytes Page：16 Pages	NPN7GHzwidebandtransistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG135A	文件：49.64 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlow-distortionbroadbandoutputamplifierstagesinantennaandtelecommunications) NPNSiliconRFTransistor •Forlow-distortionbroadbandamplifier stagesinantennaandtelecommunication systemsupto2GHzatcollectorcurrentsfrom 70mAto130mA •PoweramplifiersforDECTandPCNsystems •Integratedemitterballastresistor •fT=6GHz	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BFG135A	文件：100.64 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor •Forlow-distortionbroadbandamplifier stagesinantennaandtelecommunication systemsupto2GHzatcollectorcurrentsfrom 70mAto130mA •PoweramplifiersforDECTandPCNsystems •Integratedemitterballastresistor •fT=6GHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFQ135	文件：78.62 Kbytes Page：12 Pages	NPN6.5GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNwidebandtransistorina4-leaddual-emitterSOT172A2packagewithaceramiccap.Allleadsareisolatedfromthemountingbase. FEATURES •Optimumtemperatureprofileandexcellentreliabilitypropertiesensuredbyemitter-ballastingresistorsandapplicationofgoldsandwichm	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BGY135	文件：106.46 Kbytes Page：10 Pages	VHFpoweramplifiermodules DESCRIPTION TheBGY135andBGY136aretwo-stagebroadbandRFamplifiermodulesinaSOT132Bpackage.EachmoduleconsistsoftwoNPNtransistordiestogetherwithlumped-elementmatchingcomponents. FEATURES •12.5Vnominalsupplyvoltage •18Woutputpower. APPLICATIONS •Mobilecommunica	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
BD135T
制造商：
SEMTECH_ELEC
制造商全称：
SEMTECH ELECTRONICS LTD.
功能描述：
NPN Silicon Epitaxial Power Transistor

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