BD135T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BD135T |
| 参数属性 | BD135T 封装/外壳为TO-225AA，TO-126-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 45V 1.5A TO126 |
| 功能描述 | NPN Silicon Epitaxial Power Transistor |
| 封装外壳 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 文件大小 |
216.89 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | SEMTECH_ELEC |
| 中文名称 | 先之科半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-10 10:12:00 |
| 人工找货 | BD135T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BD135T规格书详情
NPN SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR
These devices are designed as Audio Amplifier
and Drivers Utilizing.
产品属性
- 产品编号：
BD135TG
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，2V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
- 供应商器件封装：
TO-126
- 描述：
TRANS NPN 45V 1.5A TO126
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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