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BD13616STU | PNP Epitaxial Silicon Transistor Applications • Complement to BD135, BD137 and BD139 Respectively • These are Pb−Free Devices 文件:315.28 Kbytes 页数:5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
BD13616STU | Package:TO-225AA,TO-126-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 45V 1.5A TO126-3 | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
T1 / CEPT / ISDN-PRI Reinforced Insulation 文件:54.6 Kbytes 页数:1 Pages | RHOMBUS-IND | RHOMBUS-IND | ||
Thyristor/Diode and Thyristor/Thyristor, 135 A to 160 A (New INT-A-PAKTM Power Modules) FEATURES • High voltage • Electrically isolated by DBC ceramic (AI2O3) • 3500 VRMS isolating voltage • Industrial standard package • High surge capability • Glass passivated chips • Modules uses high voltage power thyristor/diodes in three basic configurations • Simple mounting • UL a 文件:390.12 Kbytes 页数:12 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | Vishay |
产品属性
- 产品编号:
BD13616STU
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
500mV @ 50mA,500mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
100 @ 150mA,2V
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-225AA,TO-126-3
- 供应商器件封装:
TO-126-3
- 描述:
TRANS PNP 45V 1.5A TO126-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
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