| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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8年
留言
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ST专家TO-126 |
89000 |
24+ |
全新原装现货,假一罚十 |
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17年
留言
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ST |
3200 |
2432+ |
15年芯片行业经验/只供原装正品:13570885961邹小姐 |
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7年
留言
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ST/意法SOT-32(TO-126) |
750 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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7年
留言
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onsemiTO-126 |
18798 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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2年
留言
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STM |
650 |
18+/22+ |
SOT-32-3 (TO-126-3) |
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3年
留言
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ST专家TO-126 |
6800 |
2021+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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12年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-126F |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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11年
留言
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ON(安森美) |
10970 |
23+ |
公司只做原装正品,假一赔十 |
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7年
留言
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ONSEMI/安森美 |
2500 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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7年
留言
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ONSEMITO-225 |
21000 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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13年
留言
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ON/安森美TO126 |
9865 |
23+/24+ |
主推型号,原装正品,终端BOM表可配单,可开13点税 |
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7年
留言
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ONSEMI/安森美 |
5000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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15年
留言
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CJ/长电TO-126 |
32360 |
25+ |
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CJ/长电全新特价BD138即刻询购立享优惠#长期有货 |
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6年
留言
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STMSOT-32-3 (TO-126-3) |
500 |
18+ |
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3年
留言
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STMSOT-32-3 (TO-126-3) |
50000 |
23+ |
原装正品 支持实单 |
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STM原厂封装 |
8900000 |
26+ |
一级总代理商原厂原装大批量现货 一站式服务 |
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10年
留言
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STTO-220 |
5000 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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13年
留言
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ST(意法)NA |
20094 |
23+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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3年
留言
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ST/意法SOT-32 |
9000 |
19+ |
正规报关原装现货系列订货技术支持 |
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8年
留言
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STMICROELECTRONICSSMD |
500 |
2023+ |
安罗世纪电子只做原装正品货 |
BD138采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
BD138图片
BD138价格
BD138价格:¥0.5558品牌:STMICROELECTRONICS
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BD138中文资料Alldatasheet PDF
更多BD138功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Audio Amplfier RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD13810制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Medium Power Linear and Switching Applications
BD138-10制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP SILICON TRANSISTORS
BD13810S功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD13810STU功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD13816制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Medium Power Linear and Switching Applications
BD13816S功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD13816STU功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD138-25功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126
BD1386制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Medium Power Linear and Switching Applications
产品属性
- 产品编号:
BD138
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
500mV @ 50mA,500mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
40 @ 150mA,2V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-225AA,TO-126-3
- 供应商器件封装:
TO-126
- 描述:
TRANS PNP 60V 1.5A TO126




























