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BD138分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

BD138

参数属性

BD138 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 60V 1.5A TO126

功能描述

Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor
TRANS PNP 60V 1.5A TO126

封装外壳

TO-225AA,TO-126-3

文件大小

42.46 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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数据手册

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更新时间

2026-2-2 9:20:00

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晶体管资料

  • 型号:

    BD138(-6...-10)

  • 别名:

    BD138三极管、BD138晶体管、BD138晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    1.5A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD168,BD178,BD229,BD236,BD440,3CA4C,

  • 最大耗散功率:

    12.5W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-21

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    1.5

  • wtest:

    12.5

BD138规格书详情

BD138属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体制造生产的BD138晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor

This series of plastic, medium−power silicon PNP transistors are designed for use as audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits.

特性 Features

• Pb−Free Packages are Available*

• DC Current Gain − hFE = 40 (Min) @ IC = 0.15 Adc

• BD 136, 138, 140 are complementary with BD 135, 137, 139

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BD138

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 150mA,2V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供应商器件封装:

    TO-126

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 1.5A TO126

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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