BD137G分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
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| 厂商型号 |
BD137G |
| 参数属性 | BD137G 封装/外壳为TO-225AA，TO-126-3；包装为散装；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个；产品描述：TRANS NPN 60V 1.5A TO126 |
| 功能描述 | Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor |
| 文件大小 |
42.47 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-20 20:00:00 |
BD137G规格书详情
Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor
This series of plastic, medium−power silicon NPN transistors are designed for use as audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits.
Features
• Pb−Free Packages are Available
• DC Current Gain − hFE = 40 (Min) @ IC = 0.15 Adc
• BD 135, 137, 139 are complementary with BD 136, 138, 140
BD137G属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。安森美半导体公司制造生产的BD137G晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
产品属性
- 产品编号：
BD137G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，2V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
- 供应商器件封装：
TO-126
- 描述：
TRANS NPN 60V 1.5A TO126
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
23+ |
NA/ |
73 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-225AA |
860000 |
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ON(安森美) |
23+ |
NA |
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TH/韩国太虹 |
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TO126 |
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onsemi |
24+ |
TO-225AA,TO-126-3 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
询价 | ||
onsemi |
23/22+ |
NA |
9000 |
代理渠道.实单必成 |
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ON/安森美 |
22+ |
TO-126 |
97068 |
询价 | |||
ON/安森美 |
2022 |
T0-126 |
80000 |
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1983 |
纳立只做原装正品13590203865 |
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ON |
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