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BD138G

Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor

Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor This series of plastic, medium−power silicon PNP transistors are designed for use as audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits. Features • Pb−Free Packages are Available* • DC Current Gain − hFE = 40 (Min) @

文件:42.46 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BD138G

Plastic Medium-Power Silicon PNP Transistors

文件:86.87 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BD138G-10-T100-K

PNP SILICON TRANSISTOR

文件:136.98 Kbytes 页数:3 Pages

UTC

友顺

BD138G-10-TM3-T

PNP SILICON TRANSISTOR

文件:136.98 Kbytes 页数:3 Pages

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BD138G-16-T160-K

PNP SILICON TRANSISTOR

文件:136.98 Kbytes 页数:3 Pages

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BD138G-16-TM3-T

PNP SILICON TRANSISTOR

文件:136.98 Kbytes 页数:3 Pages

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BD138G-6-T60-K

PNP SILICON TRANSISTOR

文件:136.98 Kbytes 页数:3 Pages

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BD138G-6-TM3-T

PNP SILICON TRANSISTOR

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BD138G

Package:TO-225AA,TO-126-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 60V 1.5A TO126

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    BD138G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 150mA,2V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供应商器件封装:

    TO-126

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 1.5A TO126

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
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更多BD138G供应商 更新时间2026-1-17 13:16:00