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BD140	文件：1.28503 Mbytes Page：4 Pages	丝印：BD140；Package：TO-126；TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High Current Complement To BD135, BD137 And BD139 文件：1.28503 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
BD140	文件：148.83 Kbytes Page：9 Pages	Complementary low voltage transistor Features ■ Products are pre-selected in DC current gain Application ■ General purpose Description These epitaxial planar transistors are mounted in the SOT-32 plastic package. They are designed for audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi-complementary circuits. 文件：148.83 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BD140	文件：33.82 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON TRANSISTORS Description These epitaxial planar transistors are mounted in the SOT-32 plastic package. They are designed for audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi-complementary circuits. The NPN types are the BD135 and BD139, and the complementary PNP types are the BD136 and BD140. Fe 文件：33.82 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BD140	文件：158.04 Kbytes Page：9 Pages	Complementary low voltage transistor Description These epitaxial planar transistors are mounted in the SOT-32 plastic package. They are designed for audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi-complementary circuits. The NPN types are the BD135 and BD139, and the complementary PNP types are the BD136 and BD140. Fe 文件：158.04 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BD140	文件：126.97 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM: 1.25 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -1.5 A Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：126.97 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
BD140	文件：752.11 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a TO-126F Plastic Package. Descriptions Silicon PNP transistor in a TO-126F Plastic Package. Features Complement to BD139. Applications Medium power linear and switching applications. 文件：752.11 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
BD140	文件：53.9 Kbytes Page：2 Pages	PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM: 1.25 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -1.5 A Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：53.9 Kbytes 页数：2 Pages	TEL	TEL
BD140	文件：57.38 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM: 1.25 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -1.5 A Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：57.38 Kbytes 页数：1 Pages	TEL	TEL
BD140	文件：41.75 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Linear and Switching Applications Features • Complement to BD135, BD137 and BD139 respectively Applications • Medium Power Linear and Switching 文件：41.75 Kbytes 页数：4 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
BD140	文件：47.23 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Linear and Switching Applications Features • Complement to BD135, BD137 and BD139 respectively Applications • Medium Power Linear and Switching 文件：47.23 Kbytes 页数：4 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

晶体管资料

型号：
BD140(-6...-10)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
1.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD170,BD180,BD231,BD238,BD442,3CA4C,
最大耗散功率：
12.5W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
80
htest：
999900
atest：
1.5
wtest：
12.5

产品属性

产品编号：
BD140
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，2V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126
描述：
TRANS PNP 80V 1.5A TO126

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