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BD140	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 80V 1.5A SOT32-3	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BD14000EFV-C	文件：955.29 Kbytes Page：21 Pages	AEC-Q100 qualified General Description BD14000EFV is a LSI IC designed as a self-controlled cell balancer. It has a built-in shunt-type power storage element balancer function that can respond to 4 to 6 cells. All the functions necessary in a cell balancer are built-in making power storage element cell balancing po 文件：955.29 Kbytes 页数：21 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BD14010	文件：41.75 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Linear and Switching Applications Features • Complement to BD135, BD137 and BD139 respectively Applications • Medium Power Linear and Switching 文件：41.75 Kbytes 页数：4 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
BD140-10	文件：44.4 Kbytes Page：8 Pages	PNP power transistors DESCRIPTION PNP power transistor in a TO-126; SOT32 plastic package. NPN complements: BD135, BD137 and BD139. FEATURES • High current (max. 1.5 A) • Low voltage (max. 80 V). APPLICATIONS • General purpose power applications, e.g. driver stages in hi-fi amplifiers and televisi 文件：44.4 Kbytes 页数：8 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BD140-10	文件：104.52 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor 1.5 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON 45, 60, 80 VOLTS 10 WATTS . . . designedfor use as audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits. • DC Current Gain — hFE= 40 (Min) @ IC= 0.15 Adc • BD 136, 138, 140 are complementary with BD 135, 137, 139 文件：104.52 Kbytes 页数：4 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
BD140-10	文件：85.15 Kbytes Page：2 Pages	PNP General Purpose Transistor FEATURES • High Current 文件：85.15 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
BD140-10	文件：85.15 Kbytes Page：2 Pages	PNP General Purpose Transistor FEATURES • High Current 文件：85.15 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
BD140-10	文件：188.34 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON TRANSISTORS POWER TRANSISTORS PNP SILICON 文件：188.34 Kbytes 页数：5 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BD140-10	文件：194.48 Kbytes Page：2 Pages	PNP General Purpose Transistor FEATURES High Current 文件：194.48 Kbytes 页数：2 Pages	SY 顺烨电子	SY
BD140-10	文件：158.04 Kbytes Page：9 Pages	Complementary low voltage transistor Description These epitaxial planar transistors are mounted in the SOT-32 plastic package. They are designed for audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi-complementary circuits. The NPN types are the BD135 and BD139, and the complementary PNP types are the BD136 and BD140. Fe 文件：158.04 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

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晶体管资料

型号：
BD140(-6...-10)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
1.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD170,BD180,BD231,BD238,BD442,3CA4C,
最大耗散功率：
12.5W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
80
htest：
999900
atest：
1.5
wtest：
12.5

产品属性

产品编号：
BD140
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，2V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126
描述：
TRANS PNP 80V 1.5A TO126

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星宇佳科技有限公司	BD140	STM	23+	SOT-32-3 (TO-126-3)	30000		询价
深圳市威尔健半导体有限公司	BD140	ST(意法半导体)	/	TO-126	6666	原装	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	BD140	ST/意法	25+	TO-126	32000	ST/意法全新特价BD140即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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