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BD179G	文件：86.43 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium-Power NPN Silicon Transistor Plastic Medium-Power NPN Silicon Transistor This device is designed for use in 5.0 to 10 Watt audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits. Features • DC Current Gain - hFE = 40 (Min) @ IC = 0.15 Adc • BD179 is complementary with BD180 • P 文件：86.43 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD179G	文件：101.87 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium-Power Silicon NPN Transistor Plastic Medium-Power NPN Silicon Transistor This device is designed for use in 5.0 to 10 Watt audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits. Features • DC Current Gain - hFE = 40 (Min) @ IC = 0.15 Adc • BD179 is complementary with BD180 • P 文件：101.87 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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BD179G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 80V 3A TO126	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
BD179G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
800mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
63 @ 150mA，2V
频率 - 跃迁：
3MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126
描述：
TRANS NPN 80V 3A TO126

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BD179G供应商更新时间2026-1-17 8:31:00

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