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BD244CG	文件：147.12 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors Complementary Silicon Plastic Power Transistors These devices are designed for use in general purpose amplifier and switching applications. Features • High Current Gain Bandwidth Product • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant* 文件：147.12 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD244CG	文件：103.58 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors 文件：103.58 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD244CG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 100V 6A TO220	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BF244A	文件：26.05 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel RF Amplifier This device is designed for RF amplifier and mixer applications operating up to 450 MHz, and for analog switching requiring low capacitance. Sourced from Process 50. 文件：26.05 Kbytes 页数：2 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BF244A	文件：120.95 Kbytes Page：2 Pages	JFET PRO ELECTRON SERIES 文件：120.95 Kbytes 页数：2 Pages	NSC 国半	NSC
BF244A	文件：78.24 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel RF Amplifier This device is designed for RF amplifier and mixer applications operating up to 450 MHz, and for analog switching requiring low capacitance. Sourced from Process 50. 文件：78.24 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

产品属性

产品编号：
BD244CG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 1A，6A
电流 - 集电极截止（最大值）：
700µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
15 @ 3A，4V
频率 - 跃迁：
3MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS PNP 100V 6A TO220

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