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onsemi(安森美)TO-220-3

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深圳市科芯源微电子有限公司

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STTO220

200

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深圳市腾亿芯科技有限公司

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STTO220

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千层芯半导体(深圳)有限公司

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STTO-220

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深圳市富芯乐电子科技有限公司

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STTO-220

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FAIRCHILD/仙童TO220

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深圳市明嘉莱科技有限公司

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FAIRCHILD/仙童TO220

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明嘉莱只做原装正品现货

深圳市振宏微科技有限公司

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STTO-220

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深圳市亿联芯电子科技有限公司

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FAIRCHILD/仙童TO220

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深圳市华斯顿科技有限公司

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FAIRCHILDTO220

11110

25+23+

绝对原装正品全新进口深圳现货

芯有半导体（深圳）有限公司

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CDL原厂原装

751

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深圳市赛美科科技有限公司

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FAIRCHILDTO220

9850

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深圳市一线半导体有限公司

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FAIRCHILDTO-220

8866

24+

深圳市川科科技有限公司

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恩XP车规-晶体管

36218

24+25+/26+27+
1
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1000
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上海金庆电子技术有限公司

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STTO220

785

93+

全新 发货1-2天

深圳市东来宝电子科技有限公司

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BD243B

FAIRCHILD/仙童TO220

54000

24+

郑重承诺只做原装进口现货

深圳市一线半导体有限公司

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BD243B

TO-220

10000

24+

全新

深圳市恒创达实业有限公司

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BD243B

ST/FSCTO-220

6200

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洪芯国际半导体（深圳）有限公司

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BD243B

ST/FSCSOP8

86720

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全新原装正品价格最实惠 假一赔百

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BD243B

onsemi(安森美)TO-220-3

18746

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BD243B价格

BD243B价格：￥1.3607品牌：Fairchild Semiconductor

生产厂家品牌为Fairchild Semiconductor的BD243B多少钱，想知道BD243B价格是多少？参考价：￥1.3607。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，BD243B批发价格及采购报价，BD243B销售排行榜及行情走势，BD243B报价。

BD243B中文资料Alldatasheet PDF

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BD243B功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BD243B/D功能描述:Complementary Silicon Plastic Power Transistors

BD243B_07制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon Plastic Power Transistors

BD243BG功能描述:两极晶体管 - BJT 6A 80V 65W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BD243B-S功能描述:两极晶体管 - BJT 80V 6A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BD243BTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

产品属性

  • 产品编号：

    BD243B

  • 制造商：

    onsemi

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

  • 包装：

    散装

  • 晶体管类型：

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：

    1.5V @ 1A，6A

  • 电流 - 集电极截止（最大值）：

    700µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：

    15 @ 3A，4V

  • 工作温度：

    150°C（TJ）

  • 安装类型：

    通孔

  • 封装/外壳：

    TO-220-3

  • 供应商器件封装：

    TO-220-3

  • 描述：

    TRANS NPN 80V 6A TO220-3

晶体管资料

  • 型号：

    BD243B

  • 别名：

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性质：

    低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）

  • 封装形式：

    直插封装

  • 极限工作电压：

    80V

  • 最大电流允许值：

    6A

  • 最大工作频率：

    <1MHZ或未知

  • 引脚数：

    3

  • 可代换的型号：

    BD599,BD609,TIP41B,3DD67C,

  • 最大耗散功率：

    65W

  • 放大倍数：

  • 图片代号：

    B-10

  • vtest：

    80

  • htest：

    999900

  • atest：

    6

  • wtest：

    65

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