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BD241CG

Complementary Silicon Plastic Power Transistors 80??00 VOLTS

文件:155.65 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BD241CG

Complementary Silicon Plastic Power Transistors

文件:108.13 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BD241CG

Package:TO-220-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 100V 3A TO220

ONSEMI

安森美半导体

BD241CTU

Medium Power Linear and Switching Applications

Medium Power Linear and Switching Applications • Complement to BD242/A/B/C respectively

文件:33.21 Kbytes 页数:3 Pages

Fairchild

仙童半导体

BD241D

NPN SILICON POWER TRANSISTORS

NPN SILICON POWER TRANSISTORS ● 40 W at 25°C Case Temperature ● 3 A Continuous Collector Current ● 5 A Peak Collector Current ● Customer-Specified Selections Available

文件:86.85 Kbytes 页数:6 Pages

POINN

BD241E

NPN SILICON POWER TRANSISTORS

NPN SILICON POWER TRANSISTORS ● 40 W at 25°C Case Temperature ● 3 A Continuous Collector Current ● 5 A Peak Collector Current ● Customer-Specified Selections Available

文件:86.85 Kbytes 页数:6 Pages

POINN

产品属性

  • 产品编号:

    BD241CG

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.2V @ 600mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    300µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    25 @ 1A,4V

  • 频率 - 跃迁:

    3MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN 100V 3A TO220

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
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TO-220
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ON(安森美)
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TO-220
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24+
TO-2203LEADSTANDA
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更多BD241CG供应商 更新时间2025-12-24 9:53:00