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BD243C	文件：127.31 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(6A,65W) 6AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS45-100VOLTS65WATTS	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
BD243C	文件：140.69 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors 6AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON80–100VOLTS65WATTS ...designedforuseingeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. •Collector–EmitterSaturationVoltage— VCE(sat)=1.5Vdc(Max)@IC=6.0Adc •CollectorEmitterSustainingVoltage—	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
BD243C	文件：140.69 Kbytes Page：6 Pages	POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors Thesedevicesaredesignedforuseingeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. Features •HighCurrentGainBandwidthProduct •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD243C	文件：86.39 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTORS ●DesignedforComplementaryUsewiththeBD244Series ●65Wat25°CCaseTemperature ●6AContinuousCollectorCurrent ●10APeakCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable	POINN Power Innovations Ltd	POINN
BD243C	文件：34.04 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION TheBD243BandBD243CaresiliconEpitaxial-BaseNPNtransistorsmountedinJedecTO-220plasticpackage. Theyareintededforuseinmediumpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryPNPtypesareBD244BandBD244Crespectively. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALES	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BD243C	文件：38.1 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Linear and Switching Applications MediumPowerLinearandSwitchingApplications •ComplementtoBD244,BD244A,BD244BandBD244Crespectively	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BD243C	文件：133.26 Kbytes Page：3 Pages	COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS 6AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS45-100VOLTS65WATTS	bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半导体公司	boca
BD243C	文件：106.13 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTORS SILICONNPNPOWERTRANSISTORS ●DesignedforComplementaryUsewiththeBD244Series ●65Wat25°CCaseTemperature ●6AContinuousCollectorCurrent ●10APeakCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable ●-SSuffixAddedtoPartNumberIndicatesRoHSCompliance*	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
BD243C	文件：78.21 Kbytes Page：8 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTOR DESCRIPTION TheBD243BandBD243CaresiliconEpitaxial-BaseNPNtransistorsmountedinJedecTO-220plasticpackage. Theyareintededforuseinmediumpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryPNPtypesareBD244BandBD244Crespectively. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALES	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BD243C	文件：90.48 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·ComplementtotypeBD244/A/B/C APPLICATIONS ·Formediumpowerlinearandswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC

产品属性

产品编号：
BD243C
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 1A，6A
电流 - 集电极截止（最大值）：
700µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
15 @ 3A，4V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220-3
描述：
TRANS NPN 100V 6A TO220-3

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