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BD243C | POWER TRANSISTORS(6A,65W) 6AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS45-100VOLTS65WATTS | MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司 | MOSPEC | |
BD243C | Complementary Silicon Plastic Power Transistors 6AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON80–100VOLTS65WATTS ...designedforuseingeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. •Collector–EmitterSaturationVoltage— VCE(sat)=1.5Vdc(Max)@IC=6.0Adc •CollectorEmitterSustainingVoltage— | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司 | Motorola | |
BD243C | POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors Thesedevicesaredesignedforuseingeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. Features •HighCurrentGainBandwidthProduct •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant* | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | |
BD243C | NPN SILICON POWER TRANSISTORS ●DesignedforComplementaryUsewiththeBD244Series ●65Wat25°CCaseTemperature ●6AContinuousCollectorCurrent ●10APeakCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable | POINN Power Innovations Ltd | POINN | |
BD243C | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION TheBD243BandBD243CaresiliconEpitaxial-BaseNPNtransistorsmountedinJedecTO-220plasticpackage. Theyareintededforuseinmediumpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryPNPtypesareBD244BandBD244Crespectively. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALES | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS | |
BD243C | Medium Power Linear and Switching Applications MediumPowerLinearandSwitchingApplications •ComplementtoBD244,BD244A,BD244BandBD244Crespectively | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | Fairchild | |
BD243C | COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS 6AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS45-100VOLTS65WATTS | bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半导体公司 | boca | |
BD243C | NPN SILICON POWER TRANSISTORS SILICONNPNPOWERTRANSISTORS ●DesignedforComplementaryUsewiththeBD244Series ●65Wat25°CCaseTemperature ●6AContinuousCollectorCurrent ●10APeakCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable ●-SSuffixAddedtoPartNumberIndicatesRoHSCompliance* | BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯 | Bourns | |
BD243C | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTOR DESCRIPTION TheBD243BandBD243CaresiliconEpitaxial-BaseNPNtransistorsmountedinJedecTO-220plasticpackage. Theyareintededforuseinmediumpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryPNPtypesareBD244BandBD244Crespectively. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALES | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS | |
BD243C | Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·ComplementtotypeBD244/A/B/C APPLICATIONS ·Formediumpowerlinearandswitchingapplications | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
100V
- 最大电流允许值：
6A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD601,TIP41C,3DD67D,
- 最大耗散功率：
65W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-10
- vtest：
100
- htest：
999900
- atest：
6
- wtest：
65
产品属性
- 产品编号：
BD243C
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 1A，6A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
700µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
15 @ 3A，4V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220-3
- 描述：
TRANS NPN 100V 6A TO220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FSC/仙童 |
23+ |
TO-220 |
96500 |
一级分销商 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO 220 |
154964 |
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询价 | ||
ST |
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N/A |
70000 |
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询价 | ||
24+ |
TO-220 |
10000 |
全新 |
询价 | |||
FSC |
2020+ |
TO-220 |
10000 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
FSC |
17+ |
TO220 |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
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2016+ |
TO-220 |
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询价 | ||
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TO-220 |
6200 |
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询价 | ||
STMicro. |
23+ |
TO-220 |
7750 |
全新原装优势 |
询价 | ||
STM |
24+ |
原厂封装 |
4000 |
原装现货假一罚十 |
询价 |
