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BD243CG	文件：147.12 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors Thesedevicesaredesignedforuseingeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. Features •HighCurrentGainBandwidthProduct •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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BD243CG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 100V 6A TO220	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CABLE243RF	文件：126.32 Kbytes Page：1 Pages	CABLEASSEMBLY	GRADCONN GradConn Ltd	GRADCONN
CM243	文件：99.31 Kbytes Page：1 Pages	LensEnd	VCC Visual Communications Company	VCC
CMD243	文件：144.9 Kbytes Page：2 Pages	PCSFullbandDuplexer	APITECH API Technologies Corp	APITECH
CMD243	文件：215.93 Kbytes Page：10 Pages	26-35GHzBalancedDriverAmplifier	MMIC Custom MMIC Design Services, Inc.	MMIC
CMD243	文件：210.42 Kbytes Page：10 Pages	26-35GHzBalancedDriverAmplifier	QORVOQorvo, Inc 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	QORVO
CP243	文件：198.01 Kbytes Page：2 Pages	SmallSignalTransistorNPN-RFTransistorChip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize21.7x21.7MILS DieThickness9.0MILS BaseBondingPadArea3.4MILSDIAMETER EmitterBondingPadArea3.4x3.4MILS TopSideMetalizationAl-10,000Å BackSideMetalizationAu-12,000Å	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

产品属性

产品编号：
BD243CG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 1A，6A
电流 - 集电极截止（最大值）：
700µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
15 @ 3A，4V
频率 - 跃迁：
3MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS NPN 100V 6A TO220

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