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BD237G	文件：68.89 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium Power Bipolar Transistors Plastic Medium Power Bipolar Transistors Designed for use in 5.0 to 10 W audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits. Features • DC Current Gain − hFE = 40 (Min) @ IC = 0.15 Adc • Epoxy Meets UL 94 V0 @ 0.125 in • ESD Ratings: Human Body Model, 3B; > 文件：68.89 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD237G	文件：93.13 Kbytes Page：5 Pages	Plastic Medium Power Bipolar Transistors Plastic Medium Power Bipolar Transistors Designed for use in 5.0 to 10 W audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits. Features • DC Current Gain − hFE = 40 (Min) @ IC = 0.15 Adc • Epoxy Meets UL 94 V0 @ 0.125 in • ESD Ratings: Human Body Model, 3B; > 文件：93.13 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD237G-T6S-K	文件：113.02 Kbytes Page：3 Pages	80V, NPN TRANSISTORS DESCRIPTION The UTC BD237 is an NPN transistor. it uses UTC’s advanced technology to provide customers with high collector-emitter breakdown voltage, etc. FEATURES * Complement to UTC BD238 respectively * High collector-emitter breakdown voltage 文件：113.02 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
BD237G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 80V 2A TO126	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
BD237G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
25 @ 1A，2V
频率 - 跃迁：
3MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126
描述：
TRANS NPN 80V 2A TO126

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更多BD237G供应商更新时间2026-4-17 15:52:00

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