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BD180G

Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor

3.0 AMPERES POWER TRANSISTORS PNP SILICON 80 VOLTS, 30 WATTS This device is designed for use in 5.0 to 10 Watt audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits. Features •DC Current Gain − hFE= 40 (Min) @ IC= 0.15 Adc •BD180 is complementary wi

文件:68.59 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BD180G

Package:TO-225AA,TO-126-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 80V 1A TO126

ONSEMI

安森美半导体

BD180PNP

EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS

BD175, 177, 179 NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS BD176, 178, 180 PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS Medium Power Liner and Switching Applications

文件:222.63 Kbytes 页数:3 Pages

CDIL

BF180

NPN TRANZYSTORY

[ADVANI OERLIKON] TELEVISION / VIDEO DEVICES I.F. / R.F. amplifiers and oscillators V.H,F. / U.H.F. TV tuning devices

文件:456.1 Kbytes 页数:6 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

BF180

General Purpose Diodes

General Purpose Diodes

文件:127.97 Kbytes 页数:1 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

产品属性

  • 产品编号:

    BD180G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    800mV @ 100mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 150mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    3MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供应商器件封装:

    TO-126

  • 描述:

    TRANS PNP 80V 1A TO126

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
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更多BD180G供应商 更新时间2026-1-17 22:59:00