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BD180G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

BD180G
厂商型号

BD180G

参数属性

BD180G 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 80V 1A TO126

功能描述

Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor
TRANS PNP 80V 1A TO126

封装外壳

TO-225AA,TO-126-3

文件大小

68.59 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 8:24:00

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BD180G规格书详情

BD180G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体公司制造生产的BD180G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

3.0 AMPERES POWER TRANSISTORS PNP SILICON 80 VOLTS, 30 WATTS

This device is designed for use in 5.0 to 10 Watt audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits.

特性 Features

•DC Current Gain − hFE= 40 (Min) @ IC= 0.15 Adc

•BD180 is complementary with BD179

•Pb−Free Package is Available*

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BD180G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    800mV @ 100mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 150mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    3MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供应商器件封装:

    TO-126

  • 描述:

    TRANS PNP 80V 1A TO126

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON Semiconductor
2022+
原厂原包装
6800
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
on
24+
500000
行业低价,代理渠道
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onsemi(安森美)
24+
TO-225
1259
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
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ON
2023+
TO-126
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
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ON/安森美
24+
NA/
1200
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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三年内
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只做原装正品
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24+/25+
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TO-225-3
25000
ON全系列可订货
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ON
21+
TO-126
1900
原装现货假一赔十
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