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BD180分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

BD180

参数属性

BD180 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 80V 3A TO126

功能描述

Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor
TRANS PNP 80V 3A TO126

封装外壳

TO-225AA,TO-126-3

文件大小

68.59 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2026-2-9 23:00:00

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晶体管资料

  • 型号:

    BD180

  • 别名:

    BD180三极管、BD180晶体管、BD180晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    80V

  • 最大电流允许值:

    3A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD190,BD238,BD442,3CA10E,

  • 最大耗散功率:

    30W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-21

  • vtest:

    80

  • htest:

    999900

  • atest:

    3

  • wtest:

    30

BD180规格书详情

BD180属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体制造生产的BD180晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

3.0 AMPERES POWER TRANSISTORS PNP SILICON 80 VOLTS, 30 WATTS

This device is designed for use in 5.0 to 10 Watt audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits.

特性 Features

•DC Current Gain − hFE= 40 (Min) @ IC= 0.15 Adc

•BD180 is complementary with BD179

•Pb−Free Package is Available*

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BD180

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    800mV @ 100mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 150mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    3MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供应商器件封装:

    TO-126

  • 描述:

    TRANS PNP 80V 3A TO126

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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