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BD180	文件：40.64 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Linear and Switching Applications Applications • Complement to BD 175/177/179 respectively 文件：40.64 Kbytes 页数：4 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
BD180	文件：68.59 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor 3.0 AMPERES POWER TRANSISTORS PNP SILICON 80 VOLTS, 30 WATTS This device is designed for use in 5.0 to 10 Watt audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits. Features •DC Current Gain − hFE= 40 (Min) @ IC= 0.15 Adc •BD180 is complementary wi 文件：68.59 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD180	文件：222.63 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS BD175, 177, 179 NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS BD176, 178, 180 PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS Medium Power Liner and Switching Applications 文件：222.63 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
BD180	文件：137.57 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION With TO-126 package ·Complement to type BD175 /177 /179 APPLICATIONS ·For medium power linear and switching applications 文件：137.57 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BD180	文件：105.59 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor . . . designed for use in 5.0 to 10 Watt audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits. • DC Current Gain — hFE = 40 (Min) @ IC = 0.15 Adc • BD180 is complementary with BD179 文件：105.59 Kbytes 页数：4 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
BD180	文件：191.92 Kbytes Page：2 Pages	Single Bipolar Transistor 文件：191.92 Kbytes 页数：2 Pages	MULTICOMP 易络盟	MULTICOMP
BD180	文件：108.04 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：108.04 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BD180	文件：300 bytes Page：1 Pages	1.0 A，80 V PNP 双极功率晶体管 The 3 A, 80 V PNP Bipolar Power Transistor is designed for use in 5.0 to 10 Watt audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits. • DC Current Gain -hFE = 40 (Min) @ IC = 0.15 Adc\n• BD180 is complementary with BD179\n• Pb-Free Package is Available;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD180	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 80V 3A TO126	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD1800U510-1336	文件：415.62 Kbytes Page：3 Pages	Ultra Low Profile 1336 Balun 50廓 to 100廓 Balanced Features: ● 1700~1900 MHz ● 0.85mm Height Profile ● 50Ohm to 2x50 Ohm ● High CMRR ● Low Insertion Loss ● Input to Output DC Isolation ● Surface Mountable ● Tape & Reel ● Non-conductive Surface ● RoHS Compliant Applications ● WiMAX ● GPS ● UWB ● Bluetooth ● Zigbee ● GSM 文件：415.62 Kbytes 页数：3 Pages	YANTEL 研通高频	YANTEL

晶体管资料

型号：
BD180
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD190,BD238,BD442,3CA10E,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
80
htest：
999900
atest：
3
wtest：
30

产品属性

产品编号：
BD180
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
800mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，2V
频率 - 跃迁：
3MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126
描述：
TRANS PNP 80V 3A TO126

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