首页>BD180>规格书详情

BD180中文资料1.0 A,80 V PNP 双极功率晶体管数据手册ONSEMI规格书

PDF无图
厂商型号

BD180

参数属性

BD180 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 80V 3A TO126

功能描述

1.0 A,80 V PNP 双极功率晶体管
TRANS PNP 80V 3A TO126

封装外壳

TO-225AA,TO-126-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

原厂下载下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-28 14:16:00

人工找货

BD180价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

BD180规格书详情

描述 Description

The 3 A, 80 V PNP Bipolar Power Transistor is designed for use in 5.0 to 10 Watt audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits.

特性 Features

• DC Current Gain -hFE = 40 (Min) @ IC = 0.15 Adc
• BD180 is complementary with BD179
• Pb-Free Package is Available

简介

BD180属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BD180晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BD180

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.8

  • IC Cont. (A)

    :1

  • VCEO Min (V)

    :80

  • VCBO (V)

    :80

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :-

  • VBE(on) (V)

    :1.3

  • hFE Min

    :40

  • hFE Max

    :250

  • fT Min (MHz)

    :3

  • PTM Max (W)

    :30

  • Package Type

    :TO-225-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSemiconductor
24+
NA
3000
进口原装正品优势供应
询价
ONSEMI/安森美
25+
TO-126
45000
ONSEMI/安森美全新现货BD180即刻询购立享优惠#长期有排单订
询价
ON
23+
TO-126
1890
正规渠道,只有原装!
询价
ST
23+
TO-126
8560
受权代理!全新原装现货特价热卖!
询价
ST
23+
1202
询价
ON
12+
TO-126
1890
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
FAIRCHILD/仙童
22+
TO-126
6000
十年配单,只做原装
询价
ON
2023+
TO-126
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
询价
ONSEMI
2025+
TO-225
55740
询价
ON/安森美
24+
SOT-23
59710
公司现货库存,支持实单
询价