BD179中文资料3.0 A, 80 V Medium Power NPN Bipolar Power Transistor数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
BD179 |
| 参数属性 | BD179 封装/外壳为TO-225AA，TO-126-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 80V 3A TO126 |
| 功能描述 | 3.0 A, 80 V Medium Power NPN Bipolar Power Transistor |
| 封装外壳 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 15:48:00 |
| 人工找货 | BD179价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BD179规格书详情
描述 Description
The Medium Power NPN Bipolar Power Transistor is designed for use in 5.0 to 10 Watt audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits.
特性 Features
• DC Current GainhFE = 40 (Min) @ IC = 0.15 Adc
• BD179 is complementary with BD180
• Pb-Free Package is Available
简介
BD179属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的BD179晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：BD179
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Polarity
：NPN
- Type
：General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
：0.8
- IC Cont. (A)
：3
- VCEO Min (V)
：80
- VCBO (V)
：80
- VEBO (V)
：5
- VBE(sat) (V)
：-
- VBE(on) (V)
：1.3
- hFE Min
：63
- hFE Max
：160
- fT Min (MHz)
：3
- PTM Max (W)
：30
- Package Type
：TO-225-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
22+ |
TO-220-3 |
50000 |
ON二三极管全系列在售 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
NA |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOT-23 |
12866 |
公司现货库存,支持实单 |
询价 | ||
ON/ST |
24+ |
TO-126 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
ON/安森美 |
NA |
275000 |
一级代理原装正品,价格优势,长期供应! |
询价 | |||
ON/安森美 |
25+ |
TO-126 |
154 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRC |
23+ |
TO-126 |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-126 |
7000 |
询价 |
