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BD179数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

BD179

参数属性

BD179 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 80V 3A TO126

功能描述

3.0 A, 80 V Medium Power NPN Bipolar Power Transistor
TRANS NPN 80V 3A TO126

封装外壳

TO-225AA,TO-126-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:16:00

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BD179规格书详情

描述 Description

The Medium Power NPN Bipolar Power Transistor is designed for use in 5.0 to 10 Watt audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits.

特性 Features

• DC Current GainhFE = 40 (Min) @ IC = 0.15 Adc
• BD179 is complementary with BD180
• Pb-Free Package is Available

简介

BD179属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BD179晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BD179

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.8

  • IC Cont. (A)

    :3

  • VCEO Min (V)

    :80

  • VCBO (V)

    :80

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :-

  • VBE(on) (V)

    :1.3

  • hFE Min

    :63

  • hFE Max

    :160

  • fT Min (MHz)

    :3

  • PTM Max (W)

    :30

  • Package Type

    :TO-225-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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