BD175中文资料NPN外延硅晶体管数据手册ONSEMI规格书
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
BD175三极管、BD175晶体管、BD175晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
45V
- 最大电流允许值：
3A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD185,BD233,BD437,3DA72A,
- 最大耗散功率：
30W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-21
- vtest：
45
- htest：
999900
- atest：
3
- wtest：
30
BD175规格书详情
特性 Features
•中等功率线性和开关应用。
•分别为 BD 176/178/180 的补充器件
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
BD175属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由ONSEMI制造生产的BD175晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：BD175
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Polarity
：NPN
- Type
：General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
：0.8
- IC Cont. (A)
：3
- VCEO Min (V)
：45
- VCBO (V)
：45
- VEBO (V)
：5
- VBE(sat) (V)
：0.8
- VBE(on) (V)
：1.3
- hFE Min
：63
- hFE Max
：160
- fT Min (MHz)
：3
- PTM Max (W)
：30
- Package Type
：TO-126-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
25+ |
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45000 |
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ROHM |
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QFN |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 |
