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BD179	文件：37.59 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Linear and Switching Applications Medium Power Linear and SwitchingApplications • Complement to BD 176/178/180 respectively 文件：37.59 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BD179	文件：86.43 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium-Power NPN Silicon Transistor Plastic Medium-Power NPN Silicon Transistor This device is designed for use in 5.0 to 10 Watt audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits. Features • DC Current Gain - hFE = 40 (Min) @ IC = 0.15 Adc • BD179 is complementary with BD180 • P 文件：86.43 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD179	文件：222.63 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS BD175, 177, 179 NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS BD176, 178, 180 PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS Medium Power Liner and Switching Applications 文件：222.63 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
BD179	文件：106.94 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium Power Silicon NPNP Transistor Plastic Medium Power NPN Silicon Transistor . . . designed for use in 5.0 to 10 Watt audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits. • DC Current Gain — hFE = 40 (Min) @ IC = 0.15 Adc • BD179 is complementary with BD180 文件：106.94 Kbytes 页数：4 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
BD179	文件：191.31 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type BD176/178 /180 APPLICATIONS • For medium power linear and switching applications 文件：191.31 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BD179	文件：105.63 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type BD176/178/180 APPLICATIONS ·For medium power linear and switching applications 文件：105.63 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BD179	文件：61.17 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR Description The device is manufactured in Planar technology with “Base Island” layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. Features ■ NPN transistor Applications ■ General purpose switching 文件：61.17 Kbytes 页数：5 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BD179	文件：107.23 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：107.23 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BD179	文件：253.04 Kbytes Page：9 Pages	NPN power transistor 文件：253.04 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BD179	文件：225.45 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR 文件：225.45 Kbytes 页数：5 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

晶体管资料

型号：
BD179
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD189,BD237,BD441,3CA72C,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
80
htest：
999900
atest：
3
wtest：
30

产品属性

产品编号：
BD179
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
800mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
15 @ 2V，1A
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
SOT-32
描述：
TRANS NPN 80V 3A SOT32

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更多BD179供应商更新时间2026-4-17 13:44:00

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