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BD179分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

BD179

参数属性

BD179 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 80V 3A SOT32

功能描述

NPN SILICON TRANSISTOR
TRANS NPN 80V 3A SOT32

封装外壳

TO-225AA,TO-126-3

文件大小

61.17 Kbytes

页面数量

5

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

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数据手册

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更新时间

2025-10-30 15:29:00

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BD179规格书详情

BD179属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由意法半导体集团制造生产的BD179晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

描述 Description

The device is manufactured in Planar technology with “Base Island” layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.

特性 Features

■ NPN transistor

Applications

■ General purpose switching

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BD179

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    800mV @ 100mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    15 @ 2V,1A

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-32

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 3A SOT32

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