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BD139-10	文件：85.87 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES • High current • Complement to BD136, BD138 and BD140 文件：85.87 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
BD139-10	文件：185.89 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON TRANSISTORS NPN Silicon Transistors For AF driver and output stages of medium performance 文件：185.89 Kbytes 页数：5 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BD139-10	文件：185.8 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES High current Complement to BD136, BD138 and BD140 文件：185.8 Kbytes 页数：2 Pages	SY 顺烨电子	SY
BD139-10	文件：158.04 Kbytes Page：9 Pages	Complementary low voltage transistor Description These epitaxial planar transistors are mounted in the SOT-32 plastic package. They are designed for audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi-complementary circuits. The NPN types are the BD135 and BD139, and the complementary PNP types are the BD136 and BD140. Fe 文件：158.04 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BD139-10	文件：148.83 Kbytes Page：9 Pages	Complementary low voltage transistor Features ■ Products are pre-selected in DC current gain Application ■ General purpose Description These epitaxial planar transistors are mounted in the SOT-32 plastic package. They are designed for audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi-complementary circuits. 文件：148.83 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BD139-10	文件：44.25 Kbytes Page：8 Pages	NPN power transistors DESCRIPTION NPN power transistor in a TO-126; SOT32 plastic package. PNP complements: BD136, BD138 and BD140 FEATURES • High current (max. 1.5 A) • Low voltage (max. 80 V). APPLICATIONS • Driver stages in hi-fi amplifiers and television circuits. 文件：44.25 Kbytes 页数：8 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BD139-10	文件：390.76 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistors NPN Silicon 45,60,80 Volts Features • Halogen free available upon request by adding suffix -HF • Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisure Sensitivity Level 1 • DC Current Gain - hFE = 40 (Min) @IC = 文件：390.76 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
BD139-10	文件：313.58 Kbytes Page：2 Pages	NPN Transistor 文件：313.58 Kbytes 页数：2 Pages	MULTICOMP 易络盟	MULTICOMP
BD139-10	文件：76.42 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON TRANSISTORS 文件：76.42 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BD139-10	文件：157.51 Kbytes Page：9 Pages	Complementary low voltage transistor 文件：157.51 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
BD139-10
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，2V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
SOT-32
描述：
TRANS NPN 80V 1.5A SOT32

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BD139-10供应商更新时间2025-12-16 9:31:00

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